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分离式半导体产品 >> FET - 单 |
STI4N62K3 PDF |
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标准包装 |
50 |
系列 |
SuperMESH3™ |
FET 型 |
MOSFET N 通道,金属氧化物
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FET 特点 |
标准
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漏极至源极电压(Vdss) |
620V
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电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C |
3.8A
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开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C |
2 欧姆 @ 1.9A,10V
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Id 时的 Vgs(th)(最大) |
4.5V @ 50µA
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闸电荷(Qg) @ Vgs |
22nC @ 10V
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输入电容 (Ciss) @ Vds |
550pF @ 50V
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功率 - 最大 |
70W
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安装类型 |
通孔
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封装/外壳 |
TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
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供应商设备封装 |
I2PAK
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包装 |
管件
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其它名称 |
497-12262
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